Chemical Vapor Furnace (CVD FIRINI)

Chemical Vapor Furnace (CVD Fırını) kimyasal buhar fazı bir fırındır. Malzemelerin yüksek sıcaklıkta buhar fazında işlem gördüğü bir cihazdır. Bu yöntem, kimyasal reaksiyonları hızlandırmak, yüzey kaplamaları oluşturmak veya malzemeleri işlemek için kullanılmaktadır. Isıtılan malzeme buharlaştırılmaktadır. Ardından buhar reaksiyon odasına veya işlem bölmesine yönlendirilmektedir. Bu işlem, film oluşturma, yüzey değişiklikleri veya kimyasal reaksiyonlar gibi çeşitli uygulamalarda kullanılabilmektedir.

Nasıl Çalışır?

Chemical Vapor Furnace (Kimyasal buhar fırını) CVD süreci gaz fazındaki kimyasal bileşenlerin yüzeyde kimyasal reaksiyonlara girmesi yoluyla ince bir filmin oluşturulmasını içerir. Böylece bir substrat (kaplanacak yüzey) belirli bir sıcaklıkta bir reaktif gaz karışımına maruz bırakılır. Ayrıca gazlar reaksiyona girer ve yüzeyde ince bir film biriktirmektedir.

– Türleri : CVD farklı türlerde gerçekleştirilebilmektedir. Örneğin “Hidrojenat Kimyasal Buhar Biriktirme” (Hydrogenated Chemical Vapor Deposition, HCVD) hidrojen gazını içeren bir Chemical Vapor Furnace CVD türüdür.

– Uygulamalar : CVD’nin geniş bir uygulama yelpazesi vardır. Ayrıca yarıiletken endüstrisinde, silikon tabakalar oluşturmak için kullanılmaktadır. Optoelektronik alanında, LED’ler ve güneş panellerinin üretiminde kullanılabilmektedir. Ayrıca, aşındırma direnci veya ısıya dayanıklılığı eklemek için kaplamalar oluşturmak için de kullanılmaktadır.

– İncelenen Parametreler : CVD işlemi optimize edilirken dikkate alınması gereken bazı parametreler vardır. Bunlar, reaktif gazların oranı, basınç, sıcaklık, substrat malzemesi ve geometrisi gibi faktörleri içerebilmektedir.

– CVD Türleri : CVD, düşük basınç CVD (LPCVD), kimyasal buhar infiltrasyonu (CBI), plazma destekli CVD (PECVD) gibi farklı varyasyonlara sahiptir.

– Avantajlar ve Dezavantajlar : Chemical Vapor Furnace (Kimyasal buhar fırını) CVD yönteminin avantajları, atom tabakasının kontrolünün yüksek olması, ince film kalınlığının homojen olması ve kompleks yapıların kaplanabilmesidir. Ancak, yüksek sıcaklıklar ve özel ekipman gerektiren bir süreçtir.

Kimyasal buhar fırını, geniş bir endüstri yelpazesinde kullanılan önemli bir kaplama yöntemidir. Ayrıca herhangi başka bir sorunuz olursa lütfen sormaktan çekinmeyin!

Opt-Cvd 1200 Chemical Vapor Furnace Cvd Fırını

Chemical Vapor Furnace CVD tüp fırını 1200 ℃ ‘de çeşitli CVD deney reaksiyon sıcaklığı için yaygın olarak kullanılmaktadır. Ayrıca vakum sinterleme, vakum koruyucu atmosfer sinterleme nanomalzemelerinin hazırlanması, batarya malzemeleri hazırlama ve diğer araştırma alanları için kullanılabilmektedir.

Opt-Cvd 1200 Kimyasal buhar fırını (Cvd) Fırın Teknik Özellikleri ;

Maksimum Sıcaklık : 1200°C ayrıca,
Devamlı Çalışma Sıcaklığı : 1100 °C ayrıca,
Kontrol Paneli : Windows İşletim Sistemi Tabanlı LCD Dokunmatik Ekran ayrıca,
Programlanabilme : 30 adım programlanabilme özelliği ayrıca,
Isıtma Elementi : Fe-Cr-Al alaşımı katkılı Mo ayrıca,
Thermocouple : S tipi ayrıca,
Tüp: Quartz
Tüp Çapı : Opsiyonel olarak belirlenebilir. Standart tüpler 50mm OD x 1000 mm uzunluğa sahiptir.
Isıtma Hızı : Maksimum 20 °C / dk. Ortalama 10 °C/dk
Isıtma Bölgesi : Opsiyonel olarak 300-400-500 mm olarak tercih edilebilir. Sistemler standart olarak tek ısıtma bölgesine sahiptir. Ancak tercih edildiği takdirde birbirinden bağımsız çalışabilen üç ısıtma bölgeli tasarlanabilmektedir.
Termal Kontrol Sistemi ve Hassasiyeti : PID kontrol sistemi ile ±1 °C hassasiyet
Bağlantı : 220V 50-60Hz
Sistem tüpe bağlanacak vakum flanşları (paslanmaz çelikten imal edilmiş) ve manuel vakum manometresi içerir.
Sisteme vakum pompası dahildir.

Opt-Cvd 1200 Kimyasal buhar fırını (Cvd) Fırını Opsiyonları

• Tüp çapı 30-200 mm arasında opsiyonel olarak değiştirilebilmektedir.
• Isıtma bölgesi 200-440 mm arasında seçilebilmektedir.
• Fırın üç bölgeye kadar ısıtma opsiyonuna sahip olabilmektedir.
• Fırın split tip (üstten açılır kapaklı) yapıya sahip bir opsiyonla tercih edilebilir.
• Mekanik pompa gücü değiştirilebilmektedir.
• Turbo pompa opsiyonel olarak eklenebilmektedir.
• Dijital vakum gauge opsiyonel olarak eklenebilmektedir.
• MFC gazlarının kanal sayısı 2-6 arasında opsiyonel olarak eklenebilmektedir.
• Plazma eklenebilmektedir.
• Flanş tasarımı uygulamaya özgü değiştirilebilmektedir.

MFC Teknik Özellikleri

Standart CVD sistemleri 0-200 sccm gaz akış debisi aralığında 3 bağımsız kütle akış kontrolörü içerir.
MFC’lerin sayısı 1-4 arasında tercih edilebilmektedir. Debisi 0-500 sccm aralığına kadar opsiyonel olarak yükseltilebilmektedir.
Kontrol Paneli : Windows işletim sistemi tabanlı LCD Dokunmatik ekran

Benzer ürünlere buradan ulaşabilirsiniz. Ayrıca tüm ürünleri de buradan inceleyebilirsiniz.