PECVD Fırın OPT-1200

Plazma Destekli İnce Film Kaplama İçin Yüksek Performanslı Sistem PECVD FIRIN OPT-1200

PECVD Fırın OPT-1200, Plazma Destekli Kimyasal Buhar Biriktirme (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition – PECVD) uygulamalarında yüksek hassasiyet ve proses kararlılığı sunan gelişmiş bir laboratuvar sistemidir. Plazma teknolojisini kontrollü sıcaklık yönetimiyle birleştiren bu sistem, düşük sıcaklıklarda yüksek kaliteli ince film kaplamaları oluşturur. Bu sayede araştırmacılar daha hassas yüzey kaplamaları elde eder. Aynı zamanda farklı malzemeler üzerinde güvenilir sonuçlara ulaşabilir.

Üniversiteler, Ar-Ge merkezleri ve ileri teknoloji laboratuvarları; PECVD Fırın OPT-1200 modelini grafen üretimi, yarı iletken araştırmaları, optoelektronik uygulamalar, ince film büyütme ve lityum iyon batarya geliştirme çalışmalarında tercih eder. Bunun yanında sistem, yüksek hassasiyet gerektiren yüzey modifikasyonu ve fonksiyonel kaplama uygulamalarında da başarılı performans sergiler.

1200°C maksimum sıcaklık ve 1100°C sürekli çalışma kapasitesi sayesinde PECVD Fırın OPT-1200, farklı proses gereksinimlerine kolayca uyum sağlar. PID kontrollü sıcaklık sistemi ±1°C hassasiyet sunarken Windows tabanlı dokunmatik kontrol paneli tüm sürecin güvenli ve pratik şekilde yönetilmesine olanak tanır. Ayrıca 30 adımlı programlama özelliği sayesinde kullanıcılar farklı deney senaryolarını kolayca oluşturabilir. Tekrar eden prosesleri standart hale getirebilmektedir.

Öne Çıkan Özellikler

• 1200°C maksimum çalışma sıcaklığı
• 1100°C sürekli çalışma kapasitesi
• RF 13.56 MHz plazma teknolojisi
• 5–500 W hassas plazma güç kontrolü
• PID kontrollü ±1°C sıcaklık hassasiyeti
• Windows tabanlı LCD dokunmatik kontrol paneli
• 30 adımlı programlama desteği
• Quartz tüp yapısı
• Hassas MFC gaz akış kontrol sistemi
• Rotary veya turbo moleküler pompa desteği
• Entegre vakum sistemi

Esnek Yapı ve Gelişmiş Proses Kontrolü

Her laboratuvarın ihtiyaçları farklıdır. Bu nedenle PECVD Fırın OPT-1200, uygulamaya özel olarak yapılandırılabilmektedir. Kullanıcılar tüp çapını, ısıtma bölgesini ve gaz kontrol sistemini ihtiyaçlarına göre belirleyebilmektedir. Ayrıca MFC gaz kontrol sistemi 1 ila 4 bağımsız kanal arasında yapılandırılabilir. Böylece daha yüksek gaz debilerine uygun şekilde genişletilebilmektedir.

Bunun yanında RF plazma ünitesi, 5 ile 500 W arasında hassas güç kontrolü sunar. Düşük gürültü seviyesi ve hava soğutmalı yapısı sayesinde sistem uzun süreli çalışmalarda kararlı performansını korur. Böylece araştırmacılar ince film kalınlığını ve kaplama kalitesini hassas şekilde kontrol edebilir.

Kullanım Alanları

PECVD Fırı, ileri teknoloji araştırmaları ve hassas kaplama uygulamaları için geniş bir kullanım alanı sunar.

• İnce film kaplama uygulamaları
• Grafen üretimi
• Yarı iletken araştırmaları
• Optoelektronik cihaz geliştirme
• MEMS teknolojileri
• Nanomalzeme sentezi
• Lityum iyon batarya araştırmaları
• Yüzey modifikasyonu
• Üniversite laboratuvarları
• Ar-Ge merkezleri