Atomic Layer Deposition (ALD) Tanımı

Atomic Layer Deposition (ALD) ince film kaplama teknolojilerinden biridir ve kesin kontrol altında atom veya molekül tabakalarının bir malzeme yüzeyine çökertilmesi için kullanılan yüksek hassasiyetli bir işlem yöntemidir. Atomic Layer Deposition (ALD) çok hassas ve kesin bir şekilde atom veya molekül tabakalarını bir malzeme yüzeyine çökmek için kullanılan bir işlemdir. Bu teknik, nanoteknoloji, yarıiletken cihaz üretimi, kaplama ve yüzey mühendisliği gibi birçok uygulama alanında önemlidir.

ALD Çalışma Prensibi

Başlangıç Hazırlığı (Initialization): İlk adım, malzeme yüzeyinin temizlenmesi ve hazırlanmasıdır. Yüzey, herhangi bir kir, yağ veya oksit tabakası gibi kirleticilerden arındırılır. Bu temizleme işlemi, Atomic Layer Deposition işleminin istenen sonuçlarına ulaşabilmesi için çok önemlidir.

İlk Prekurör İletimi (Adsorpsiyon): İlk prekurör adı verilen bir kimyasal bileşik veya gaz, malzeme yüzeyine uygulanır. İlk prekurör molekülleri, yüzeydeki aktif bağlantı yerlerine (reaktif gruplar veya eksik atomlar gibi) adsorbe olurlar. Bu adım, yüzeyin kaplanacak olan ilk atom veya molekül tabakasını karşılayacak şekilde hazırlanmasını sağlar.

İlk Prekurör Kalıntısının Temizlenmesi: İlk prekurörün fazla kısmı, inert bir taşıyıcı gaz (genellikle azot veya argon) ile yüzeyden uzaklaştırılır. Bu, yüzeyde istenmeyen kimyasal reaksiyonları önlemek ve reaksiyonun sadece istenilen bölgelerde gerçekleşmesini sağlamak için gereklidir.

İkinci Prekurör İletimi (Reaksiyon): İkinci prekurör olarak adlandırılan başka bir kimyasal bileşik veya gaz, yüzeydeki adsorbe olmuş ilk prekurör ile reaksiyona girecek şekilde uygulanır. İkinci prekurör molekülleri, yüzeydeki ilk prekurör ile kimyasal bir reaksiyona girer ve istenilen kimyasal bileşik veya tabakanın oluşturulmasına neden olur.

İkinci Prekurör Kalıntısının Temizlenmesi: İkinci prekurörün fazla kısmı da inert bir taşıyıcı gaz ile yüzeyden uzaklaştırılır. Bu adım, fazla kimyasal kalıntıları temizlemek ve reaksiyonların istenmeyen yan etkilerini önlemek için gereklidir.

Atomic Layer Deposition bu işlem döngüsü, bir atom veya molekül tabakasının yavaşça ve kesin bir şekilde bir araya getirilmesini sağlar. Her döngü sonunda bir tek katman eklenir. İstenilen film kalınlığına ulaşmak için bu işlem döngüleri tekrarlanır. ALD‘nin önemli bir özelliği, film büyümesini atomik veya moleküler hassasiyetle kontrol etme yeteneğidir. Bu, çok ince ve hassas kaplamaların üretimini sağlar.

Atomic Layer Deposition Kullanım Alanları

Yarıiletken Üretimi: Yarıiletken cihazların üretiminde ALD, ince film yüzey kaplamalarının hassas kontrolü için kritiktir. Transistörler, mikroçipler ve diğer yarıiletken cihazlar için geçiş metal oksitleri gibi katmanlar ALD ile üretilebilir.

Optoelektronik Cihazlar: Güneş panelleri, LED’ler, lazerler ve fotoiletken cihazlar gibi optoelektronik bileşenlerin üretiminde ALD, ince film kaplamalarının kontrol edilmesini sağlar ve optik özellikleri optimize eder.

Koruyucu Kaplamalar: Atomic Layer Deposition metal ve cam yüzeylerin paslanma, oksitlenme, çizilme ve kimyasal bozulmaya karşı koruyucu kaplamalarla kaplanmasında kullanılır. Bu, elektronik cihazlardan optik lenslere kadar birçok uygulama için önemlidir.

Nanoteknoloji: Nanotüpler, nanowire’lar ve nanoelektromekanik sistemler (NEMS) gibi nanomalzemelerin üretiminde Atomic Layer Deposition kullanılır. Bu, nanoteknolojik cihazların geliştirilmesine katkı sağlar.

Enerji Depolama: ALD, Li-ion piller, yakıt hücreleri ve süper kapasitörler gibi enerji depolama sistemlerinin bileşenlerinin kaplanmasında kullanılır. Bu, enerji depolama verimliliğini ve dayanıklılığını artırabilir.

Kimyasal Sensörler: Gaz algılama ve kimyasal analiz için kullanılan mikro ve nano sensörlerin üretiminde ALD kullanılır. Bu sensörler, gazların tanımlanması ve izlenmesi için kullanılır.

Biyomedikal Uygulamalar: İmplantlar, protezler ve diş hekimliği malzemeleri gibi biyomedikal cihazların kaplamalarında Atomic Layer Deposition biyolojik uyumluluk ve aşınma direnci sağlar.

Termal Yalıtım: ALD termal yalıtım malzemeleri ve yalıtkan filmlerin üretiminde kullanılır. Bu, yüksek sıcaklıklarda çalışan cihazlar ve yüzeyler için önemlidir.

Nanoelektromekanik Sistemler (NEMS): Atomic Layer Deposition NEMS cihazlarının üretiminde kullanılır. Bu, nanometre boyutlu mekanik cihazların üretimini ve işlevselliğini sağlar.

AT410 ve AT610 Atomik Katman Biriktirme- Atomic Layer Deposition (ALD)

• Bugün piyasada bulunabilecek fiyatın çok altında bir maliyettedir.
• Oda sıcaklığı ila 325 °C ± 1 °C
• Oda sıcaklığından 150 °C ± 2 °C’ye kadar öncü sıcaklıklar (ısıtma ceketi ile)
• Piyasadaki en küçük ayak izi (2,5 fit kare), tezgah üstü kurulum ve temiz oda uyumlu
• Basit sistem bakımı
• Aerodinamik hazne tasarımı ve küçük hazne hacmi
• Hızlı döngü yeteneği (1.2nm/dk’ya kadar Al2O3) ve yüksek pozlama, derin nüfuz etme işlemi mevcuttur.
• Çok kullanıcılı ortamlarda bile güvenli çalışma için tam HW ve SW kilitleri

Benzer ürünlere buradan ulaşabilirsiniz. Ayrıca tüm ürünleri de buradan inceleyebilirsiniz.