Chemical Vapor Furnace CVD Fırını
CVD tüp fırını, 1200 ℃ ‘de çeşitli CVD deney reaksiyon sıcaklığı için yaygın olarak kullanılır, ayrıca vakum sinterleme, vakum koruyucu atmosfer sinterleme nanomalzemelerinin hazırlanması, batarya malzemeleri hazırlama ve diğer araştırma alanları için kullanılabilir.
Chemical Vapor Furnace
Chemical Vapor Furnace kimyasal buhar fazı bir fırındır. Malzemelerin yüksek sıcaklıkta buhar fazında işlem gördüğü bir cihazdır. Bu yöntem, kimyasal reaksiyonları hızlandırmak, yüzey kaplamaları oluşturmak veya malzemeleri işlemek için kullanılır. Isıtılan malzeme buharlaştırılır ardından buhar reaksiyon odasına veya işlem bölmesine yönlendirilir. Bu işlem, film oluşturma, yüzey değişiklikleri veya kimyasal reaksiyonlar gibi çeşitli uygulamalarda kullanılabilir.
Nasıl Çalışır?
Chemical Vapor Furnace (Kimyasal buhar fırını) CVD süreci gaz fazındaki kimyasal bileşenlerin yüzeyde kimyasal reaksiyonlara girmesi yoluyla ince bir filmin oluşturulmasını içerir. Bir substrat (kaplanacak yüzey) belirli bir sıcaklıkta bir reaktif gaz karışımına maruz bırakılır. Gazlar reaksiyona girer ve yüzeyde ince bir film biriktirir.
– Türleri : CVD farklı türlerde gerçekleştirilebilir. Örneğin “Hidrojenat Kimyasal Buhar Biriktirme” (Hydrogenated Chemical Vapor Deposition, HCVD) hidrojen gazını içeren bir Chemical Vapor Furnace CVD türüdür.
– Uygulamalar : CVD’nin geniş bir uygulama yelpazesi vardır. Yarıiletken endüstrisinde, silikon tabakalar oluşturmak için kullanılır. Optoelektronik alanında, LED’ler ve güneş panellerinin üretiminde kullanılabilir. Ayrıca, aşındırma direnci veya ısıya dayanıklılığı eklemek için kaplamalar oluşturmak için de kullanılır.
– İncelenen Parametreler : CVD işlemi optimize edilirken dikkate alınması gereken bazı parametreler vardır. Bunlar, reaktif gazların oranı, basınç, sıcaklık, substrat malzemesi ve geometrisi gibi faktörleri içerebilir.
– CVD Türleri : CVD, düşük basınç CVD (LPCVD), kimyasal buhar infiltrasyonu (CBI), plazma destekli CVD (PECVD) gibi farklı varyasyonlara sahiptir.
– Avantajlar ve Dezavantajlar : Chemical Vapor Furnace (Kimyasal buhar fırını) CVD yönteminin avantajları, atom tabakasının kontrolünün yüksek olması, ince film kalınlığının homojen olması ve kompleks yapıların kaplanabilmesidir. Ancak, yüksek sıcaklıklar ve özel ekipman gerektiren bir süreçtir.
Kimyasal buhar fırını, geniş bir endüstri yelpazesinde kullanılan önemli bir kaplama yöntemidir. Herhangi başka bir sorunuz olursa lütfen sormaktan çekinmeyin!
Opt-Cvd 1200 Chemical Vapor Furnace Cvd Fırını
Chemical Vapor Furnace CVD tüp fırını 1200 ℃ ‘de çeşitli CVD deney reaksiyon sıcaklığı için yaygın olarak kullanılır, ayrıca vakum sinterleme, vakum koruyucu atmosfer sinterleme nanomalzemelerinin hazırlanması, batarya malzemeleri hazırlama ve diğer araştırma alanları için kullanılabilir.
Opt-Cvd 1200 Kimyasal buhar fırını (Cvd) Fırın Teknik Özellikleri ;
Maksimum Sıcaklık : 1200°C
Devamlı Çalışma Sıcaklığı : 1100 °C
Kontrol Paneli : Windows İşletim Sistemi Tabanlı LCD Dokunmatik Ekran
Programlanabilme : 30 adım programlanabilme özelliği
Isıtma Elementi : Fe-Cr-Al alaşımı katkılı Mo
Thermocouple : S tipi
Tüp: Quartz
Tüp Çapı : Opsiyonel olarak belirlenebilir. Standart tüpler 50mm OD x 1000 mm uzunluğa sahiptir.
Isıtma Hızı : Maksimum 20 °C / dk. Ortalama 10 °C/dk
Isıtma Bölgesi : Opsiyonel olarak 300-400-500 mm olarak tercih edilebilir. Sistemler standart olarak tek ısıtma bölgesine sahiptir ancak tercih edildiği takdirde birbirinden bağımsız çalışabilen üç ısıtma bölgeli tasarlanabilir.
Termal Kontrol Sistemi ve Hassasiyeti : PID kontrol sistemi ile ±1 °C hassasiyet
Bağlantı : 220V 50-60Hz
Sistem tüpe bağlanacak vakum flanşları (paslanmaz çelikten imal edilmiş) ve manuel vakum manometresi içerir.
Sisteme vakum pompası dahildir.
Opt-Cvd 1200 Kimyasal buhar fırını (Cvd) Fırını Opsiyonları
- Tüp çapı 30-200 mm arasında opsiyonel olarak değiştirilebilir.
- Isıtma bölgesi 200-440 mm arasında seçilebilir.
- Fırın üç bölgeye kadar ısıtma opsiyonuna sahip olabilir.
- Fırın split tip (üstten açılır kapaklı) yapıya sahip bir opsiyonla tercih edilebilir.
- Mekanik pompa gücü değiştirilebilir.
- Turbo pompa opsiyonel olarak eklenebilir.
- Dijital vakum gauge opsiyonel olarak eklenebilir.
- MFC gazlarının kanal sayısı 2-6 arasında opsiyonel olarak eklenebilir.
- Plazma eklenebilir.
- Flanş tasarımı uygulamaya özgü değiştirilebilir.
MFC Teknik Özellikleri
Standart CVD sistemleri 0-200 sccm gaz akış debisi aralığında 3 bağımsız kütle akış kontrolörü içerir.
MFC’lerin sayısı 1-4 arasında tercih edilebilir ve debisi 0-500 sccm aralığına kadar opsiyonel olarak yükseltilebilir.
Kontrol Paneli : Windows işletim sistemi tabanlı LCD Dokunmatik ekran
Opt Cvd 1200 Cvd Fırını ve benzer ürünlere buradan veya buradan ulaşabilirsiniz.